近日，瑞萨电子宣布，考虑到EV（电动汽车）需求不断增长，为扩大功率半导体产能重启甲府工厂（山梨县甲斐市）。 
据悉，甲府工厂隶属于瑞萨全资子公司瑞萨半导体制造有限公司，拥有150mm和200mm两条产线。该工厂于2014年10月停止运营。为了实现脱碳社会、满足对功率半导体不断增长的需求，瑞萨计划有效利用甲府工厂现有厂房，并于2022年5月决定将其作为功率半导体专用的300mm产线重新启动。
瑞萨电子在2022年中对该工厂进行了900亿日元规模的设备投资，现已正式开始运营。瑞萨将于2025年开始大规模生产以IGBT为主的功率半导体，这也将使瑞萨当前的功率半导体产能翻倍。
瑞萨CEO柴田英利表示：“从2014年开始停止运营的甲府工厂，在10年后的今天作为300mm晶圆功率半导体产线重新投入运营，对此我感到非常高兴。这也离不开山梨县、甲斐市及昭和町当地政府的支持，以及工厂建设公司、设备供应商、委托企业及各家合作方公司的支持。再次向大家表达深切的感谢。我们将通过甲府工厂生产的功率半导体，为电动汽车以及人工智能普及及扩大所需的大规模电力高效利用做出贡献。”
甲府工厂概要：
厂名：瑞萨半导体制造有限公司 甲府工厂 地址：山梨县甲斐市西八幡4617 开业日期：2024年4月1日 无尘室面积：最大18,000㎡产品类别：IGBT、功率MOSFET等功率半导体
01.
瑞萨预计2025年量产SiC功率半导体
2023年5月，瑞萨社长兼CEO柴田英利表示，将开始投资SiC功率半导体，目标在2025年开始进行量产，将利用旗下目前已生产硅基功率半导体的高崎工厂的6吋晶圆产线进行生产，主因随着电动车（EV）普及，带动节能性能优异的SiC功率半导体今后需求有望显著增长。瑞萨在2022年11月就表明要进军SiC功率半导体市场，此次则是首度明确说明投资战略。
瑞萨现行采取的生产策略是运算用先进逻辑芯片等产品委由晶圆代工厂生产，而易于活用自家技术的功率半导体则靠自家工厂生产。当时消息，除了SiC外，瑞萨宣布将在2014年10月关闭的甲府工厂（山梨县凯）投资900亿日元，从2024年开始使用12英寸晶圆生产IGBT等功率半导体。这条12英寸晶圆生产线的推出，预计将使该公司的功率半导体生产能力翻一番。 通过这一宣布，该公司打算通过全面进入SiC器件市场来加强其功率半导体业务，该市场正在进行一些采用和评估研究，特别是用于电动汽车。 
据当时消息透露，甲府工厂的启动工作进展顺利，预计在2024年开始运营，到2025年实现全速大规模生产，希望通过在未来进行额外的投资来扩大生产规模。 
瑞萨社长兼CEO柴田英利透露，甲府工厂的IGBT和高崎工厂的SiC器件的主要客户预计都在汽车领域，包括电动汽车逆变器和DC-DC转换器。这些器件因其与竞争对手相比的低损耗而受到客户的高度评价，并且对2025年的大规模生产有强烈的要求。目前，瑞萨估计其在电动车的IGBT市场的份额不到 10%。随着新生产线的运行，瑞萨希望能大大增加我们在IGBT和SiC器件方面的份额。 02.
瑞萨和Wolfspeed签署10年碳化硅晶圆供应协议
2023年7月，瑞萨和Wolfspeed宣布，瑞萨执行了一项晶圆供应协议，并支付了20亿美元（USD）的保证金，确保Wolfspeed提供10年的碳化硅裸片和外延片供应承诺。
据悉，这份长达十年的供应协议要求Wolfspeed在2025年向瑞萨提供150mm碳化硅裸片和外延片，这加强了两家公司对整个行业从硅向碳化硅半导体功率器件过渡的愿景。该协议还预计在最近宣布的John Palmour碳化硅制造中心（"JP"）全面运作后，向瑞萨提供200mm碳化硅裸片和外延片。在SiC功率半导体市场上，龙头厂瑞士STMicroelectronics、德国英飞凌（Infineon）、日本三菱电机等厂商也正致力于投资，瑞萨起步可说是比较慢。不过对此，柴田英利表示，在功率半导体上、我们起步非常慢。例如，EV用IGBT现在的市占率推估为10%左右。但甲府工厂开始生产的话，（市占率）将可增至2-3倍。 转自：NE时代半导体
为更好的推动国内功率半导体及集成电路学术及产业交流，在电子科技大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟指导下，极智半导体产业网 联合电子薄膜与集成器件国家重点实验室 、成都信息工程大学、第三代半导体产业 和 北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司 于 2024年4 月26-28日 共同主办“2024功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2024）”，论坛会议内容将涵盖宽禁带碳化硅和氮化镓为代表的高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等几大主题，将覆盖晶圆造、芯片设计、芯片加工、模块封装、测试分析、软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。
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