$东芯股份(SH688110)$ $江波龙(SZ301308)$ $佰维存储(SH688525)$
2024年，利基型存储芯片市场展现出了积极的发展趋势。以下是一些关键点：
1. **价格反弹**：利基型DRAM价格在2023年第三季度触底后开始持续反弹，领涨利基型存储市场。DDR3和利基型DDR4的价格相比最低点分别上涨了17.3%与11.6%【2】。
2. **产能规划**：三星在2023年第四季度大幅减产DRAM，但预计2024年第一季度投片开始回升，稼动率约为80%。SK海力士积极扩张HBM产能，随着HBM3e量产后，相关先进制程投片亦持续上升。美光投片量有回温趋势，后续将积极增加其先进制程1beta nm比重【2】。
3. **技术发展**：北京君正作为车规工控利基存储龙头企业，其全资子公司北京矽成在存储器领域深耕三十多年，形成了完整的技术体系和工程保障体系。公司进行了不同容量、不同类别的高速DRAM、MobileDRAM等存储芯片的产品研发【2】。
4. **市场预期**：存储行业在2024年预计将显著回暖，利基型存储行业将持续受益。东芯股份作为国产SLC NAND龙头，预计2024年将迎来拐点，公司经过前期市场培育和国内大客户的积极开拓合作，规模效应逐渐有所体现【3】【7】【8】。
5. **行业竞争格局**：全球存储产品主要以NAND Flash和DRAM为主，NOR Flash和SLC NAND为利基型产品。全球DRAM市场由三星、海力士、美光三家海外厂商垄断；SLC NAND市场竞争格局相对分散【3】。
6. **市场规模预测**：2024年，存储芯片市场规模预计同比增长44.8%至1297.7亿美元。随着AI应用的不断发展，头部海外厂商会将更多产能投入到主流存储器和新兴应用方向，间接减少对利基市场的供给【5】。
7. **风险提示**：需求回暖和产品价格上涨可能不及预期，这是投资者需要关注的风险【2】【6】。
综上所述，2024年利基型存储芯片市场面临价格反弹、产能规划优化、技术进步、市场预期改善等积极因素，但同时也存在需求和价格波动的风险。
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