该GaN项目有新进展：月产1万片、投资超20亿

前段时间，“行家说三代半”报道了国内2个GaN项目（.点这里.）；近日，韩国的GaN项目也有相关进展——

5月22日，据韩媒报道，韩国东部高科（DB HiTek）计划在今年第三季度引进氮化镓器件生产所需的相关设备，并在今年年底前完成量产准备。

一位业内人士表示，DB HiTek计划将爱思强MOCVD设备引进至其位于忠北道乡城的尚宇晶圆厂（Sangwoo Fab），目标是在第三季度安装设备、第四季度建立工艺流程，预计该GaN代工厂将从明年年初开始运营。

DB HiTek近两年在第三代半导体领域动作频频，在去年12月，DB HiTek曾宣布投资4000亿韩元（约21.2亿人民币），目标到2026年将氮化镓的产能提高到1万片/月，该项目预计还会有额外的投资。

据“行家说三代半”此外报道，该公司还投资了7000亿韩元（约37.2亿人民币）进入碳化硅市场，目标量产时间为2028年，产能预计为2万片/月。为此，SiC离子注入设备也将于今年第三季度引入Sangwoo Fab。

除了DB Hitech之外，多家韩国厂商也在推进GaN代工服务商业化，如三星电子、Key Foundry（启方半导体）等也从爱思强采购金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备，其中三星电子计划明年全面量产氮化镓半导体。