继6月18日,总投资120亿元的士兰微8英寸SiC功率器件芯片制造生产线开工后,又有两个SiC相关项目披露了最新进展。 长飞先进武汉基地正式封顶 6月19日,据长飞先进官微消息显示,年产36万片SiC晶圆的长飞先进武汉基地日前正式完成主体结构封顶。
晶能微电子车规级半导体封测基地二期项目将于2026年投产 6月17日,据温岭发布官微消息显示,晶能微电子车规级半导体封测基地二期项目用地近日成功出让。项目总用地面积达14755平方米,由温岭新城开发区下属国有企业负责厂房建设。
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