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功率器件是分立器件的重要组成部分,包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极性晶体管(IGBT)等。MOSFET 由于场效应管的栅极被绝缘层隔离,又称绝缘栅场效应管,具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性,在电路中可以用作放大器、电子开关等用途,主要用于消费电子产品、电源、DC-DC 转换器、电机控制器、射频 (RF) 应用、交通技术和汽车电子产品等。

在5G、PC 和云服务器、新能源汽车等市场的推动下,全球 MOSFET 市场高速度增长。2021年,全球市场规模首次突破100亿美元,达到113.2亿美元,同比+33.6%;国内市场规模达到46.6亿美元,同比+37.9%,增幅高于全球水平。随后几年全球 MOSFET 市场将持续增长,2023年增长率回落到3.3%后缓慢反弹,2026年市场规模将达到160.6亿美元;国内 MOSFET 市场增速仍将略高于全球,2026年市场规模达到69.5亿美元。

随着国内 MOSFET 市场的持续快速增长,中国市场在全球市场的占比也将持续提升,从2021年的41.2%提升至2026年的43.3%。国产化率也快速提升,2021年国内 MOSFET 市场的国产化率为30.5%,预计2026年国产化率将达到 64.5%。产品结构来看,平面型 MOSFET 和沟槽型 MOSFET 的国产化率高于超级结型 MOSFET,预计到2026年,平面型 MOSFET、沟槽型 MOSFET 和超级结型 MOSFET 的国产化率将分别达到68.7%、66.6%和 47.9%。

MOSFET 全球集中度相对较高,根据 Omdia 的数据,2022年全球功率 MOSFET 前三大供应商所占市场总份额为47%,前10大供应商所占市场总份额约为79%。具体来看,英飞凌、安森美、意法半导体2022年分别占有26%、14%和7%市场份额,中国大陆厂商华**、士**在2022年分别占有4%、3%市场份额。

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