近日，国内3个SiC相关项目宣布签约/开工：
冠岚新材料：年产1600吨碳化硅衬底材料项目签约落户浙江安吉县；
北一半导体：总投资10亿的功率半导体项目开工，可年产125万件；
科士达：投资12.5亿元用于光储项目建设，将利用碳化硅/氮化镓等提升产品技术水平。
冠岚新材料：
SiC项目签约落户
6月28日，据“安吉发布”消息，当天安吉（上海）推介会在上海市松江区人才科创中心举行，会上分批进行了35个项目签约，总投资超350亿人民币，其中包括1个SiC项目。
报道称，第一批签约项目中包括“年产1600吨碳化硅衬底材料项目”，该项目建设方为苏州冠岚新材料有限公司，暂未披露项目投资金额等更多信息。
“行家说三代半”了解到，冠岚新材成立于2021年，主要产品为大尺寸、高纯度、低成本第三代半导体SiC原材料、SiC镀膜，目前国产化原材料产品验证完成，获国内外多家客户认证，2021年获得江苏省双创大赛一等奖。目前公司采用独有的升级的化学气相沉积的原材料技术，生产出的晶棒更厚、成本更低、纯度更高。
北一半导体：
功率半导体项目开工
6月30日，据“看建湖”官微消息，江苏盐城建湖县于6月26日举行重大产业项目推进暨北一半导体功率器件项目开工活动。
据介绍，北一第三代半导体功率器件项目是建湖县电子信息产业链上的重要节点项目。该项目总投资10亿元，将分两期实施，项目全部投产后，可年产半导体器件125万件，年可实现开票销售15亿元，税收1.2亿元。
企查查显示，北一半导体成立于2017年，专注于Si基、SiC基功率半导体芯片及模块研发、模块生产、销售。今年5月初，他们宣布完成B+轮融资，融资总额达1.5亿元，这笔资金将主要用于SiC MOSFET技术的进一步研发，以及产线的升级与扩建。
科士达：
光储项目采用SiC等技术
6月28日，科士达发布公告称，本次证券发行募集资金总额不超过12.5亿元（含本数），募集资金扣除发行费用后的净额用于光伏逆变器、储能变流器生产基地建设项目、光储系统集成产品生产基地建设项目和福州研发中心建设项目：
其中，科士达“福州研发中心建设项目”中特别强调了将大力推进第三代半导体相关技术——科士达在推进该项目建设期间，将利用以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体器件快速发展的机会，通过高频化和集成化技术路线，结合高频磁元件技术、电磁兼容抑制技术和智能化控制等技术，提升功率变换器的效率和功率密度，减低装置体积和重量，提升其旗下产品的技术水平。
据“行家说三代半”此前报道，科士达还曾与意法半导体就SiC光储产品的研发合作达成合作——去年5月，意法半导体到访科士达，双方就SiC器件产品展开了探讨与交流，旨在深化双方战略合作。
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