重庆三安8英寸SiC衬底产线将于8月通线！
据“西永微电园”7月2日消息，6月30日，重庆三安半导体衬底厂迎来了主设备入场，并且进机仪式取得圆满结束，标志着重庆三安衬底工厂通线即将进入倒计时阶段。
据重庆三安基建负责人透露，该项目于去年9月正式施工，项目主厂房已于去年12月完成结构封顶，今年5月完成外墙装饰，6月完成室外道路接驳，目前整体建设进度已完成95%以上，正处于设备进场安装调试的关键阶段，也是收尾攻坚的重要阶段，预计8月底将实现衬底厂的点亮通线。
三安意法半导体项目建设现场
据“行家说三代半”此前报道，去年6月，意法半导体和三安光电宣布将在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂，而三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求。
2大项目均位于重庆高新区西永微电子产业园，总规划投资约300亿元人民币，项目达产后将建成全国首条8吋碳化硅衬底和晶圆制造线，具备年产48万片8吋碳化硅衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力。
除重庆项目外，三安半导体在湖南布局的SiC项目也宣布即将投产——
今年5月，三安半导体官方透露，其董事长林志东近日应邀参加了中法企业家委员会第六次会议。
会议期间，林志东介绍了湖南三安SiC项目最新进展——湖南碳化硅半导体产业化项目一期已经全线投产，SiC年产能已达到25万片（折合6吋算）；项目二期正在稳步推进中，将全部导入国际领先的8吋生产设备和工艺，计划今年三季度投产。整个项目达产后将实现总计年产48万片的规模。
随着重庆及湖南8吋SiC项目的通线、投产，三安半导体将进一步加强其在半导体材料领域的领导地位，并为国内外市场提供更多的高质量SiC衬底和功率芯片。
值得一提的是，三安半导体已正式参编《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，《白皮书》将于今年12月中旬发布，届时将深入展示三安半导体的SiC最新进展和布局。
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