天科合达：SiC衬底产业化基地二期项目已通过环评审批，目标年产37.1万片。

$天富能源(SH600509)$  

“行家说三代半”近日获悉，国内又有2家SiC企业扩产进度更新：

 天科合达：SiC衬底产业化基地二期项目已通过环评审批，目标年产37.1万片。

天科合达：

SiC衬底产业化基地二期

8月13日，据“北京市生态环境局”披露，北京天科合达半导体股份有限公司的SiC衬底产业化基地二期项目已通过环评审批。

报告书显示，天科合达计划在北京市大兴新城东南片区建设第三代半导体碳化硅衬底产业化基地的二期工程，该项目是北京市重点支持的高新技术产业项目之一。

具体来看，天科合达此次扩建地块选中现有工程空地；项目总占地面积52790.032m，总建筑面积105913.29m，建设包括生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、综合楼、门卫等。拟购置长晶及附属、晶体加工、晶片加工等工艺设备，新建6-8英寸碳化硅衬底生产线及研发中心，以及相关配套设施，投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。