国安 民安 天下安2024年12月 总第188期
三安出席第十五届"亚洲电源技术发展论坛",蝉联双奖项
第十五届"亚洲电源技术发展论坛"于12月7日在深圳圆满落幕。本次论坛汇聚了四十余位资深专家技术指导,上百余家企业参会设展,吸引了超过3000名电源领域工程师共同参与。论坛围绕电源技术前沿话题,聚焦半导体芯片、功率器件等多个技术方向,覆盖小功率、高功率、消费类电子、汽车、工业以及光伏储能等多个应用领域,展示了电源行业的最新动态与创新成果。
氮化镓功率器件应用趋势:
J日
电力电子行业作为技术密集型产业,核心竞争力在于技术创新与产品质量。在当前国际形势复杂、政策支持加码的背景下,电源行业既面临技术难题和竞争压力,也迎来了新的发展机遇。为推动中国电力电子行业技术进步和产业升级,提升工程师技术水平,"亚洲电源技术发展论坛"成为链接行业资源、分享技术成果的重要平台,助力行业应对挑战、把握机遇。
作为行业技术先锋,三安在本次论坛中表现尤为突出。三安高级研发经理刘成博士发表了主题演讲《大功率电源应用场景下GaN功率电子器件技术及挑战》,从技术实践与市场需求出发,深入剖析了GaN功率电子器件在大功率电源应用中的前沿技术与突破方向,赢得了广泛关注与热烈反响。
此外,三安再次蝉联"国产功率器件行业卓越奖(车规级)"和 "功率器件﹣SiC行业卓越奖"两大重要奖项。不仅彰显了三安在国产功率器件领域的领军地位,更凸显其在车规级应用以及SiC功率器件方面的深厚技术积淀与强大创新能力。有助于三安进一步巩固与上下游企业的合作关系,吸引更多行业资源,为其持续拓展市场份额奠定坚实基础,也为整个电源行业树立了创新发展的标杆,激励更多企业加大研发投入共同推动电力电子行业迈向新的高度
开放交流,共谋发展
安瑞光电应邀参加第33届DVN论坛
安瑞光电 Kelly
随着汽车产业的蓬勃兴起,车灯行业亦展现出惊人的发展势头,其角色已从单一的照明工具跃升为智能出行的关键组成部分。这一演变历程漫长而深远,从最初以安全性能为核心的技术奠基,到如今智能操控与功能安全并重的创新飞跃,车灯行业经历了从光源革新到芯片技术,从机械结构到电子控制的全面转型,每一步都伴随着新技术的涌现与行业变革的浪潮。
秉承开放交流、共谋发展的宗旨,安瑞光电高度重视此次第33届DVN论坛的参与机会,与众多汽车厂商、车灯制造商以及TIER1&TIER2供应商共聚一堂,共话未来。在此次论坛中,安瑞光电不仅积极投身交流讨论,更通过全方位展示,彰显了公司及其子公司在创新设计研发、模具设计与制造、工艺工程领域的深厚实力,以及将创新理念成功融入实际生产制造中的卓越能力。
尤为值得一提的是,安瑞光电在论坛期间重点推介了由安瑞重庆工厂精心打造的CD701项目。该项目不仅实现了MINI LED技术的批量应用,更在贯穿式大型前灯模具制造、驱动控制以及超大尺寸产品的注塑组装方面取得了显著成就,充分展现了安瑞光电在推动车灯行业技术创新与产业升级方面的坚实步伐与前瞻视野
车内外环境改善
提供系统解决
在业界瞩目的盛会中,安瑞光电电子的研发总监柳金梁先生,以其深厚的专业底蕴,向与会的同行精英们精彩展示了Mini LED技术在后期车灯应用领域的突破性进展,成功跨越了既往的技术瓶颈与应用壁垒。此番展示不仅彰显了安瑞光电在技术创新上的领先地位,更为同行间的深入交流搭建了桥梁。会议尾声,安瑞光电总经理孙玉宝(Eric Sun)更是携手业界大佬,共同参与了一场别开生面的圆桌论坛。这场论坛不仅是一场思想的盛宴,更是智慧与灵感的碰撞,为行业的未来发展注入了新的活力。
通过此次会议,我们深切感受到了来自汽车厂家更为深层次的需求与期待,与同行们进行了深度且富有成效的交流与探讨。我们有理由相信,作为致力于汽车行业发展的我们,定能引领汽车行业走向更加宽与深远的道路 开创属干我们的辉煌简音
A1新闻广角
三安SiC MOS产品获推2024中国汽车芯片创新成果12月5-6日,备受关注的2024全球汽车芯片创新大会在无锡成功召开,大会同期发布了中国汽车芯片创新成果评选结果。本次活动聚焦中国汽车芯片产品,通过综合考量其上车应用情况、供货稳定性、创新能力和应用前景,全面展示了我国汽车芯片领域的技术创新与产业进步。随着新能源汽车的快速普及,全球汽车芯片需求持续增长,为芯片企业带来了广阔的发展空间。尽管芯片短缺的情况已大幅改善,技术突破与产业生态的优化仍是行业发展的核心驱动力。
作为全球化分工的关键环节,汽车芯片不仅肩负着推动技术进步的使命,也在构建全球生态、实现竞争合作中扮演重要角色。中国汽车工业协会通过本次评选,旨在推动汽车芯片产业优化升级,加速中国汽车产业高质量发展。
在本次评选中,三安的1200V/16m SiC MOSFET AMS1200016B凭借出色的技术表现和广阔的市场前景,成功入围"2024中国汽车芯片创新成果﹣功率类"奖项。这款SiC MOSFET产品在关键技术参数上达到了国际先进水平,包括:阈值电压(Vth):提升了器件的抗干扰能力;导通电阻(Rdson):实现更低的功率损耗;击穿电压(BV):提供更高的可靠性和耐用性。同时,该产品在可靠性测试方面表现优异,已通过HTRB(高温反向偏置)、HTGB(高温栅极偏置)和HV-H3TRB(高湿高压高温反偏)等1000小时测试,验证了其在严苛应用环境中的稳定性。目前,这款sic MOSFET已被导入国内重点新能源汽车客户的主驱系统验证中,将为提升车辆的功率密度、能源效率和整体性能提供有力支持。
三安的入围不仅是对其技术创新能力的肯定,也彰显了其在国产汽车芯片领域的重要地位。该成果的实现,标志着国产汽车芯片在关键技术领域正逐步缩小与国际巨头的差距,为推动国内汽车产业链自主可控打下了坚实基础。
三安相关负责人表示:"作为国内具有影响力的宽禁带功率半导体企业,我们将持续以技术创新为驱动力,深化SiC等先进材料的研发应用,加速新能源汽车关键技术突破,助力汽车芯片产业实现高质
量发
聚力创芯篇奋楫再启航
芯动力,新启航,共绘聚力创芯的宏伟蓝图
特种应用RGB生产单元张玉莲
在21世纪科技浪潮中,半导体芯片如信息技术明珠,引领全球产业变革。从手机到超算,从家居到自动驾驶,芯片无处不在,是信息技术的核心。面对此新兴产业蓬勃发展,三安以"聚力创芯,再启新程"为号角,踏上科技征程,向半导体芯片巅峰迈进。
"聚力"即汇聚全球智慧与力量,形成创新合力。三安凭借卓越的科研、技术和设备,持续研发自主知识产权的"中国芯"。我们与国内外企业、高校及研究机构合作,共推半导体芯片技术发展。通过政策、资金、人才和技术交流,激发创新,加速成果转化,促进产业高质量发展。同时,三安加强国际合作,共迎全球科技挑战,共享发展成果。
"创芯"是对半导体芯片领域"卡脖子"问题的直接回应。在全球科技竞争加剧的背景下,三安坚持自主研发、自主可控的战略方向。公司加大研发投入,专攻高端芯片设计、先进制程和封装测试等核心技术,力求实现从追随到并行乃至领先的转变。同时,强化产业链协同创新,增强整体安全性和竞争力。三安将勇于探索未知,攀登科技高峰,不断突破技术限制,引领半导体芯片产业迈向新高。
"奋楫"代表我们在科技创新上的坚定决心与勇气。半导体芯片产业复杂且高度集成,需持续探索创新。我们应直面挑战,勇攀科技高峰,突破技术瓶颈,提升我国在全球半导体产业链的影响力。
"再启航"意味着我们在初步成功后,要再次出发,追求更高目标。半导体芯片产业未来潜力巨大,随着AI、物联网、5G等技术进步,芯片应用将更广,市场需求更旺。三安应抓住机遇,加速产业升级,促进芯片产业与实体经济融合,助力新发展格局。同时,加强国际合作,学习国际先进经验,推动产业国际化。
未来,三安全体员工将以更加高昂斗志和坚定信念,全力投入半导体芯片领域的创新与发展共同书写半导体兹片产业
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AMS1200016B是三安半导体推出的一款1200V/16m SiCMOSFET产品。
技术特点:
.阈值电压(Vth):提升了器件的抗干扰能力,确保了在复杂环境下的稳定工作。
导通电阻(Rdson):实现了更低的功率损耗,有助于提高能源效率。.击穿电压(BV):提供了更高的可靠性和耐用性,满足了高压应用场景的需求。
1200V/16m SiC MOSFET是一种采用碳化硅(SiC)材料制成的金属氧化物半导体场效应晶体管
(MOSFET),具有1200V的击穿电压和特定的导通电阻值(以m为单位,具体数值依产品而异,此处以16m作为示例)。这种器件因其优越的性能,在电动汽车、光伏、充电桩等多个领域有广泛应用。
主要特点:
. 高击穿电压:能够承...[展开]